همه چیز درباره حافظه رم و حافظه داخلی

RAM: حافظه با دستیابی تصادفی

این بخش نقش کاهنده سرعت دستیابی میان پردازشگر برنامه و حافظه فلش را ایفا میکند.
RAM دادههای که قرار است توسط پردازنده برنامه پردازش شـود را از قبـل از حافظـه فلـش، ثانویه، بر میدارد، بطور موقت آن دادهها را ذخیره میکند و سپس در صورت درخواست، آنهـا را در اختیار پردازنده برنامه قرار میدهد.
زمانی که سیستم و برنامه عملیات خواندن و نوشتن را بـا اسـتفاده از فضـای آزاد RAM تکـرار میکنند، با کاهش فضای آزاد حافظه، سرعت سیستم دچار افت میشود.
یعنی هر چقدر فضای آزاد RAM بیشتر باشد، کاربر راحـتتـر مـیتوانـد از تلفـن هوشـمندش استفاده کند.

RAM تلفن هوشمند

گرچه مدلهای ابتدایی تلفنهای هوشمند SDRAM داشتند، ولی مدلهایی که بعـداً طراحـی شدند از DDR1 ،DDR2 و DDR3 استفاده میکنند.
DDR به حافظه سریع اشاره دارد که سرعت کلاک داخلی همانند SDRAM عادی را دارد، ولی سرعت دستیابی به داده در آن دوبرابر شده است.

DDR2 4 برابر و DDR3 8 برابر سریعتر از SDRAM میتواند به اطلاعات دستیابی پیدا کند.

حافظه

حافظه فلش: در حالی که دادههای ذخیره شده در RAM موقع خـاموش شـدن دسـتگاه پـاک میشوند، دادههای ذخیره شده در حافظه فلش در صورت خاموشـی هـم حفـظ مـیشـوند. بـه
همین دلیل است که حافظه فلش به عنوان حافظه ثانویـه در تلفـنهـای هوشـمند بکـار بـرده میشود.
حافظه فلش NOR :به این بخش میتوانـد از طریـق بایـت دسـت یافـت و هماننـد ROM کـار میکند. بیشتر برای اجرای کد بکار برده میشود و مزایای خواندن پرسرعت را دارد.
حافظه فلش NAND :پردازشگر این حافظه را میتواند با صفحه بخوانـد و بـا بـلاک پـاک کنـد.
بیشتر برای ذخیره دادهها بکار برده میشود و مزایـای نوشـتن سـریع، درجـهای از یکپـارچگی، قیمت، مصرف انرژی و طول عمر دارد.
حافظه NAND ONE :نسل بعدی فیوژن نیمههادی است که مزایای حافظه فلشNOR) سرعت خواندن بالا) و حافظه فلش NAND) سرعت خواندن بـالا و درجـه بـالایی از یکپـارچکی) را در بردارد.
حافظه فیوژن NAND One حافظه بـافر موسـوم بـه RAM Data ،کنتـرل کننـده و همچنـین حافظه فلش NAND را در یک چیپ ادغام کرده است. نقاط ضعف فلش NAND مانند سرعت
پایین را تحت پوشش قرار داده است